Міжнародна команда вчених створила перший безперервний напівпровідниковий лазер із електронним накачуванням, повністю виготовлений з елементів четвертої групи періодичної таблиці, зокрема кремнію, германію та олова. Ця розробка, вирощена на стандартній кремнієвій підкладці, має важливе значення для розвитку кремнієвої фотоніки, пропонуючи енергоефективне і доступне джерело світла для оптичних систем.

Технологія розв’язує давню проблему створення ефективного джерела світла, сумісного з кремнієвими чипами, яке можна інтегрувати за допомогою стандартних КМОП-технологій. Попередні рішення базувалися на матеріалах III-V груп, що були складними для інтеграції. Новий лазер демонструє енергоефективність, близьку до світлодіодів, і використовує передову кільцеподібну геометрію та квантові ями для мінімізації тепловиділення. Пристрій працює стабільно за температур до 90 К (-183 °C), що поки що обмежує його застосування, але оптимізація може забезпечити функціонування за кімнатної температури.

Потенціал цього лазера поширюється на широке коло завдань, включаючи оптичну передачу даних для ШІ, інтернету речей та інших технологій, де потрібна швидкість і енергоефективність. Завдяки низькому енергоспоживанню та сумісності з існуючими виробничими процесами, ця розробка може суттєво знизити вартість оптичних систем і підвищити їх продуктивність.

Поряд із цим прогресом, фахівці з Південної Кореї розробили технологію масового виробництва лазерів на квантових точках, зменшивши їхню собівартість у шість разів завдяки хімічному осадженню металорганічних сполук. Такі досягнення свідчать про масштабний прорив у кремнієвій фотоніці, що може вплинути на розвиток сучасних інформаційних технологій і електроніки.

Схожі новини:

1. Інженери очистили кремній для створення чипів нового покоління
2. Нова технологія оптичного зв’язку подвоїть швидкість передачі даних по протоколу 5G
3. Створено лазер з води і світла